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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang, CP;  Jin, Y;  Liu, JT;  Xu, BZ;  Wang, WM;  Wei, X;  Song, GF;  Xu, Y
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LN (Wang, Lina);  Xu BZ (Xu, Binzong);  Bai WL (Bai, Wenli);  Zhang J (Zhang, Jing);  Cai LK (Cai, Likang);  Hu HF (Hu, Haifeng);  Song GF (Song, Guofeng)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang BZ;  Wang XL;  Wang BZ Hebei Univ Sci & Technol Inst Informat Sci & Technol Shijiazhuang 050018 Peoples R China. E-mail Address: wangbz@semi.ac.cn
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一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
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用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王保柱;  王晓亮;  王晓燕;  王新华;  肖红领;  王军喜;  刘宏新
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1404/189  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, LC;  Wang, XL;  Wang, CM;  Mao, HL;  Ran, JX;  Luo, WJ;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Fang, CB;  Hu, GX;  Guo, LC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lcguo@semi.ac.cn
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1325/484  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Wang, CM;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(217Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2077/329  |  提交时间：2010/03/09
Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Yang, CB;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Wang, JX;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1570/729  |  提交时间：2010/03/08
Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R 会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wang, XH;  Wan, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Way, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hydrogen Sensor  Algan/gan Heterostructure  Schottky Diode