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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Li, Huijie
;
Liu, Guipeng
;
Wei, Hongyuan
;
Jiao, Chunmei
;
Wang, Jianxia
;
Zhang, Heng
;
Dong Jin, Dong
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Feng, Yuxia
;
Yang, Shaoyan
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Wang, Lianshan
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2014/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, Tiancheng
;
Ni, Qinfei
;
Liu, Xuezhen
;
Yu, Bin
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Wang, Yuxia
;
Zhang, Yu
;
Ma, Xunpeng
;
Wang, Yongbin
;
Xu, Yun
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提交时间:2014/04/28
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:
杨少延
;
冯玉霞
;
魏鸿源
;
焦春美
;
赵桂娟
;
汪连山
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:844/90
  |  
提交时间:2014/11/05
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
项若飞
;
汪连山
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
张恒
;
冯玉霞
;
焦春美
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2016/09/12
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
孔苏苏
;
李辉杰
;
冯玉霞
;
赵桂娟
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
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提交时间:2016/08/30