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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang K;  Li XQ;  Li XX;  Pei WH;  Chen HD;  Dong JQ;  Li, XX (reprint author), Peking Univ, Peoples Hosp, Dept Ophthalmol, 11 Xi Zhi Men Nan St, Beijing 100044, Peoples R China, drxiaoxinli@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qin H;  Wang HR;  Li WJ;  Jin XX;  Li, WJ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China, qinh@semi.ac.cn;  wjli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang X;  Pei WH;  Huang BJ;  Wang SJ;  Guan N;  Guo K;  Wang Y;  Gui Q;  Chen J;  Wang K;  Wu HJ;  Li XX;  Li K;  Chen HD;  Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. zhangxu@semi.ac.cn
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硅基稀土掺杂电致发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1273/174  |  提交时间：2009/06/11
制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  丁武昌;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基稀土掺杂发光材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1344/184  |  提交时间：2009/06/11
声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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稀土复合离子注入发光材料制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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硅基高效等电子掺杂发光器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张建国;  王晓欣;  成步文;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XQ;  Liu, XL;  Han, XX;  Yuan, HR;  Wang, J;  Guo, Y;  Song, HP;  Zheng, GL;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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