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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, JS;  Yen, WC;  Lin, SM;  Lee, CY;  Wu, J;  Wang, ZM;  Chin, TS;  Chueh, YL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, YP;  Wang, XD;  Liu, W;  Yang, TS;  Ma, J;  Yang, FH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, YP;  Wang, XD;  Liu, W;  Yang, TS;  Ma, J;  Yang, FH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, YP;  Wang, XD;  Liu, W;  Yang, TS;  Yang, FH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu HL;  Zhang XM;  Wang PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Lai TS;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zcniu@red.semi.ac.cn;  stslts@mail.sysu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Tang J;  Ran JX;  Zhang ML;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Jiang LJ;  Li JM;  Wang ZG;  Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Algan/gan Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, FC;  Luo, HH;  Wang, TS;  Roberts, SG;  Todd, RI;  Zhang, FC, State Key Lab Metastable Mat Sci & Technol, Qinhuangdao 066004, Peoples R China. 电子邮箱地址: zfc@ysu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XL;  Chen, TS;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Luo, WJ;  Tang, J;  Guo, LC;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, XD;  Wang, WZ;  Gao, RX;  Zhao, JH;  Wen, JH;  Lin, WZ;  Lai, TS;  Lai, TS, Sun Yat Sen Univ, Dept Phys, State Key Lab Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: stslts@mail.sysu.edu.cn
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