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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙阳;  徐学俊;  屠晓光;  陈少武
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一种纳米尺寸空气槽的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人:  屠晓光;  陈少武 
Adobe PDF(991Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1158/145  |  提交时间：2010/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XJ;  Chen SW;  Yu JZ;  Tu XG;  Xu XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xjxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(886Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1194/299  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈少武;  余金中;  徐学俊;  黄庆忠;  余和军;  屠晓光;  李运涛
Adobe PDF(2043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1291/447  |  提交时间：2010/11/23
一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  屠晓光;  陈少武
Adobe PDF(823Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1666/198  |  提交时间：2009/06/11
一种制作纵向双栅金属-氧化物-半导体器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  屠晓光;  陈少武
Adobe PDF(1017Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1109/143  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P;  Zuo YH;  Tu XG;  Cai DJ;  Li SP;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pchen@semi.ac.cn
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Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:  Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1915/355  |  提交时间：2010/03/09
Pockels Effect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tu, XG;  Xu, XJ;  Chen, SW;  Yu, JZ;  Wang, QM;  Tu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tuxiaog@red.semi.ac.cn
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SOI 光波导电光调制器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  屠晓光
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