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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang ML
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Tang J
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Hu GX
;
Ran JX
;
Wang MG
;
Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1139/347
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Tang J
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Jiang LJ
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1597/399
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang LJ
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang ZG
;
Feng C
;
Zhang ML
;
Tang J
;
Jiang LJ Chinese Acad Sci Novel Mat Lab Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ljjiang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1097/313
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1924/433
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng, C
;
Wang, XL
;
Yang, CB
;
Xiao, HL
;
Zhang, ML
;
Jiang, LJ
;
Tang, J
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, ZG
;
Feng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cfeng@semi.ac.cn
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浏览/下载:1208/366
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提交时间:2010/03/08
Parallel optical communication subsystem based on VCSEL - art. no. 67833I
会议论文
OPTICAL TRANSMISSION,SWITCHING,AND SUBSYSTEMS V, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Chen XB
;
Tang ML
;
Chen HD
;
Tang J
;
Liu FM
;
Chen, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1542/236
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提交时间:2010/03/09
Very Short Reach
无权访问的条目
期刊论文
作者:
de la Chapelle, ML
;
Han, HX
;
Tang, CC
;
de la Chapelle, ML, Univ Technol Troyes, Lab Nanotechnol & Instrumentat Opt, 12 Rue Marie Curie,BP 2060, F-10010 Troyes, France. 电子邮箱地址: marc.lamy_de_la_chapelle@utt.fr
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提交时间:2010/03/17
制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王晓亮
;
张明兰
;
肖红领
;
王翠梅
;
唐健
;
冯春
;
姜丽娟
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提交时间:2011/08/31