|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Su SJ (Su Shao-Jian); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Zhang DL (Zhang Dong-Liang); Zhang GZ (Zhang Guang-Ze); Wang QM (Wang Qi-Ming)
 Adobe PDF(1118Kb) |  收藏 | 浏览/下载：685/148 | 提交时间：2013/04/02 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming)
Adobe PDF(240Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1064/271 | 提交时间：2012/02/22 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1622Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1230/117 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1501Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1383/153 | 提交时间：2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1262Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1289/148 | 提交时间：2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1337Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1313/128 | 提交时间：2009/06/11 |
| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(665Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1261/191 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生
Adobe PDF(728Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1287/149 | 提交时间：2009/06/11 |
| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林
Adobe PDF(322Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1488/189 | 提交时间：2009/06/11 |
| 磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周剑平; 陈诺夫; 张富强; 刘志凯; 杨少延; 柴春林
Adobe PDF(392Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1397/161 | 提交时间：2009/06/11 |
