中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Gui-Juan;  Yang, Shao-Yan;  Liu, Gui-Peng;  Liu, Chang-Bo;  Sang, Ling;  Gu, Cheng-Yan;  Liu, Xiang-Lin;  Wei, Hong-Yuan;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
Adobe PDF(690Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：468/89  |  提交时间：2014/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sang, Ling;  Yang, Shao Yan;  Liu, Gui Peng;  Zhao, Gui Juan;  Liu, Chang Bo;  Gu, Cheng Yan;  Wei, Hong Yuan;  Liu, Xiang Lin;  Zhu, Qin Sheng;  Wang, Zhan Guo
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1184/356  |  提交时间：2013/08/27
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ling Sang, Shao Yan Yang, Gui Peng Liu, Gui Juan Zhao, Chang Bo Liu, Cheng Yan Gu, Hong Yuan Wei,
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：369/86  |  提交时间：2014/03/18
一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
Adobe PDF(1562Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2158/299  |  提交时间：2010/08/12
低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
Adobe PDF(538Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1945/310  |  提交时间：2010/08/12
一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
发明人:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
Adobe PDF(2122Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1937/262  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng YS (Peng Yin-Sheng);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Niu JB (Niu Jie-Bin);  Jia R (Jia Rui);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Liang S (Liang Song);  Yang XH (Yang Xiao-Hong);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
Adobe PDF(889Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1201/366  |  提交时间：2010/11/14
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1555/248  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HL (Peng Hong-Ling);  Han, Q (Han Qin);  Yang, XH (Yang Xiao-Hong);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Peng, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：904/276  |  提交时间：2010/03/29
GaAs 基半导体器件的高频特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  彭红玲
Adobe PDF(1556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1231/31  |  提交时间：2009/04/13