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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [9]
半导体材料科学中心 [2]
作者
林德峰 [1]
彭恩超 [1]
毕杨 [1]
文献类型
期刊论文 [6]
专利 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2014 [5]
2011 [2]
语种
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出处
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具有背势垒的GaN基HEMT研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:
彭恩超
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浏览/下载:1460/92
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提交时间:2014/06/05
氮化镓
异质结
高电子迁移率晶体管
二维电子气
背势垒
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Yan, JD
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qu, SQ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Hou, X
;
Wang, CM
;
Jiang, LJ
;
Feng, C
;
Chen, H
;
Yin, HB
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, ZG
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浏览/下载:478/70
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yan, JD
;
Wang, XL
;
Wang, Q
;
Qu, SQ
;
Xiao, HL
;
Peng, EC
;
Kang, H
;
Wang, CM
;
Feng, C
;
Yin, HB
;
Jiang, LJ
;
Li, BQ
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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浏览/下载:614/63
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, W
;
Wang, XL
;
Qu, SQ
;
Wang, Q
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Peng, EC
;
Hou, X
;
Wang, ZG
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Yang CB
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. ybi@semi.ac.cn
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提交时间:2011/09/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bi Y
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Peng EC
;
Lin DF
;
Feng C
;
Jiang LJ
;
Bi, Y (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, ybi@semi.ac.cn
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浏览/下载:1320/370
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提交时间:2012/01/06
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
彭恩超
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:796/80
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提交时间:2014/12/25
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
肖红领
;
彭恩超
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:821/98
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提交时间:2014/10/31
铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:
王晓亮
;
彭恩超
;
王翠梅
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
陈竑
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浏览/下载:1140/94
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提交时间:2014/10/24