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GaN/AlN多量子阱MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  马志芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, ZF;  Zhao, DG;  Wang, YT;  Jiang, DS;  Zhang, SM;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Sun, BJ;  Yang, H;  Liang, JW;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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