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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang QY
;
Wang J
;
Wang JH
;
Liu ZL
;
Lin LY
;
Wang, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novl Semicond Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qywang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Lin LY
;
Callaghan FD
;
Li T
;
Foxton CT
;
Bates CA
;
Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1059/269
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo MC
;
Li JM
;
Wang QM
;
Sun GS
;
Wang L
;
Li GR
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:2028/365
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Floating-zone Growth
Crystal-growth
Zero Gravity
Microgravity
Segregation
Stoichiometry
Silicon
Defects
Insb
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo MC
;
Wang XL
;
Li JM
;
Liu HX
;
Wang L
;
Sun DZ
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Semi-insulating GaAs grown in outer space
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Gaas
Outer Space
Microgravity
Integrated Circuit
Semiinsulating Gallium-arsenide
Lec-gaas
Defects
Stoichiometry
Segregation
Carbon
Boron
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan TW
;
Qian JJ
;
Wu J
;
Lin LY
;
Yuan J
;
Fan TW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1542/697
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Xie X
;
Zhang M
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Crystals
Defects