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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li WW (Li W. W.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liang JR (Liang J. R.);  Hu ZG (Hu Z. G.);  Liu J (Liu J.);  Chen HD (Chen H. D.);  Chu JH (Chu J. H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Le LC (Le Ling-Cong);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Wu LL (Wu Liang-Liang);  Deng Y (Deng Yi);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Wang H (Wang Hui);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Zhang BS (Zhang Bao-Shun);  Yang H (Yang Hui)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Le LC;  Jiang DS;  Wu LL;  Zhu JJ;  Wang H;  Liu ZS;  Zhang SM;  Yang H;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng C (Zeng Chang);  Zhang SM (Zhang Shu-Ming);  Ji L (Ji Lian);  Wang HB (Wang Huai-Bing);  Zhao DG (Zhao De-Gang);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Liu ZS (Liu Zong-Shun);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Cao Q (Cao Qing);  Chong M (Chong Ming);  Duan LH (Duan Li-Hong);  Wang H (Wang Hai);  Shi YS (Shi Yong-Sheng);  Liu SY (Liu Su-Ying);  Yang H (Yang Hui);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Zeng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(802Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1337/419  |  提交时间:2010/12/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng Y;  Zhao DG;  Wu LL;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhang SM;  Liang JW;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. dgzhao@red.semi.ac.cn
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提高氮化镓材料载流子迁移率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  朱建军;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, ZF;  Zhao, DG;  Wang, YT;  Jiang, DS;  Zhang, SM;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Sun, BJ;  Yang, H;  Liang, JW;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang LQ;  Zhang SM;  Yang H;  Cao Q;  Ji L;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Zhao DG;  Jiang DS;  Duan LH;  Wang H;  Shi YS;  Liu SY;  Chen LH;  Liang JW;  Zhang, LQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LL;  Wang H;  Chen J;  Sun X;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Yang H;  Liang JW;  Wang, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangll@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou JJ (Zou Ji-Jun);  Chang BK (Chang Ben-Kang);  Yang Z (Yang Zhi);  Gao P (Gao Pin);  Qiao JL (Qiao Jian-Liang);  Zeng YP (Zeng Yi-Pine);  Chang, BK, Nanjing Univ Sci & Technol, Inst Elect Engn & Opto Elect Technol, Nanjing 210094, Peoples R China. 电子邮箱地址: bkchang@mail.njust.edu.cn
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