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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, XK;  Liang, DC;  Jin, P;  An, Q;  Wei, H;  Wu, J;  Wang, ZG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang, DC;  An, Q;  Jin, P;  Li, XK;  Wei, H;  Wu, J;  Wang, ZG;  Jin, P (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China,pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang GH (Tang Guang-Hua);  Xu B (Xu Bo);  Jiang;  LW (Jiang Li-Wen);  Kong JX (Kong Jin-Xia);  Kong;  N (Kong Ning);  Liang DC (Liang De-Chun);  Liang P (Liang Ping);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Jin P (Jin Peng);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Tang, GH, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tghsugar@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang AL;  Song HP;  Liang DC;  Wei HY;  Liu XL;  Jin P;  Qin XB;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XK;  Li QS;  Liang DC;  Xu YD;  Xie XJ;  Li XK Qufu Normal Univ Coll Phys & Engn Qufu 273165 Peoples R China. E-mail Address: phylxk@163.com
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聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  王成新;  韩培德;  陆大成;  王晓晖;  汪度;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  袁海荣;  王良臣;  徐萍;  姚文卿;  高翠华;  刘焕章;  葛永才;  郑东
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砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  梁德春;  李新坤;  金鹏;  王占国
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