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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Yang, Mingming
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Wang, Longlong
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Hu, Guofeng
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Chen, Xue
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Gong, Peng Lai
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Liu, Yi
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Yang, Yuanbo
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Zhao, Xiaohui
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提交时间:2022/12/29
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Hu, Li-Bin
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Huang, Xin-Yu
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Zhang, Shan
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Li, Chen
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Xie, Wan-Feng
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提交时间:2022/05/18
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赵懿昊
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马骁宇
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提交时间:2017/03/16
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Li-Xin Tian
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Zhan-Wei Shen
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Xing-Fang Liu
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提交时间:2017/03/10
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Yu, Zhi-Guo
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Zhao, Li-Xia
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Wei, Xue-Cheng
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Tian, Li-Xin
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Zhang, Feng
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提交时间:2015/03/19
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期刊论文
作者:
Liu Xing-Fang, Sun Guo-Sheng, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Guan Min, Zhang Yang, Zhang Feng, Dong Lin, Zheng Liu, Liu Sheng-Bei, Tian Li-Xin, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Zeng Yi-Ping
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提交时间:2014/03/18
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期刊论文
作者:
Zhang Ming-Lan, Yang Rui-Xia, Li Zhuo-Xin, Cao Xing-Zhong, Wang Bao-Yi, Wang Xiao-Hui
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提交时间:2014/04/30
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提交时间:2013/04/02
硫系元素过饱和掺杂硅材料及其器件制备中的关键技术研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
李辛毅
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提交时间:2012/07/10
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
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胡国新
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马志勇
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冉学军
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王翠敏
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肖红领
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王军喜
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李建平
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曾一平
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李晋闽
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提交时间:2009/06/11