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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
孔祥挺
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提交时间:2017/06/05
Ingaas沟道
高迁移率
Mosfet
Ge/si衬底
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作者:
Xiangting Kong
;
Renrong Liang
;
Xuliang Zhou
;
Shiyan Li
;
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;
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;
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;
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提交时间:2017/03/10
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提交时间:2016/03/23
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Shiyan Li
;
Xuliang Zhou
;
Xiangting Kong
;
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;
Wei Wang
;
Jiaoqing Pan
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XiangTing Kong
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;
JiaoQing Pan
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提交时间:2016/03/23
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期刊论文
作者:
Xiangting Kong
;
Xuliang Zhou
;
Shiyan Li
;
Hudong Chang
;
Honggang Liu
;
Jing Wang
;
Renrong Liang
;
Wei Wang
;
Jiaoqing Pan
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提交时间:2016/03/23