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Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  孔祥挺
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Ingaas沟道  高迁移率  Mosfet  Ge/si衬底  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong, L.;  Wang, H. L.;  Bajek, D.;  White, S. E.;  Forrest, A. F.;  Wang, X. L.;  Cui, B. F.;  Pan, J. Q.;  Ding, Y.;  Cataluna, M. A.
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量子点红外激光器和探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  孔金霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郝会颖;  李伟民;  曾湘波;  孔光临;  廖显伯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1568/536  |  提交时间:2010/12/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong DH (Kong D. H.);  Zhu HL (Zhu H. L.);  Liang S (Liang S.);  Zhao XF (Zhao X. F.);  Lou CX (Lou C. X.);  Wang L (Wang L.);  Wang BJ (Wang B. J.);  Zhao LJ (Zhao L. J.)
Adobe PDF(1363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1103/283  |  提交时间:2010/09/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱洪亮;  许晓冬;  王桓;  孔端花;  梁松;  王宝军;  赵玲娟;  王圩
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有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周孔丹;  鲁华祥
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硅纳米线的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾湘波;  廖显伯;  刁宏伟;  向贤碧;  孔光临;  徐艳月
Adobe PDF(427Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1523/202  |  提交时间:2009/06/11