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中国科学院半导体研究所机构知识库
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蓝宝石衬底氮化铝材料HVPE生长研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
孔苏苏
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浏览/下载:1188/53
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提交时间:2015/06/02
氮化铝 Hvpe 应力
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong, SS
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Li, HJ
;
Feng, YX
;
Chen, Z
;
Liu, XL
;
Wang, LS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:619/135
  |  
提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng, YX
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhang, H
;
Kong, SS
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
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收藏
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浏览/下载:438/47
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Feng, YX
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Chen, Z
;
Wang, LS
;
Kong, SS
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
Adobe PDF(3657Kb)
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浏览/下载:440/30
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan, ZG
;
Zhang, P
;
Li, SS
;
Jing, J
;
Kong, LB
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浏览/下载:808/203
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提交时间:2013/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JJ
;
Zhang SF
;
Kong XJ
;
Li SS
;
Liu JJ,Hebei Normal Univ,Dept Phys,Shijiazhuang 050016,Peoples R China.
Adobe PDF(195Kb)
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浏览/下载:690/149
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JJ
;
Li YX
;
Kong XJ
;
Li SS
;
Liu JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(196Kb)
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浏览/下载:984/259
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提交时间:2010/08/12
缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:
冯玉霞
;
杨少延
;
魏鸿源
;
焦春美
;
孔苏苏
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浏览/下载:778/69
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提交时间:2014/11/24
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
孔苏苏
;
李辉杰
;
冯玉霞
;
赵桂娟
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(1285Kb)
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浏览/下载:666/3
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提交时间:2016/08/30