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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiren Chen; Junliang Xing; Liangqing Zhu; F.-X. Zha; Zhichuan Niu; Shaoling Guo; Jun Shao
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| 2~4μm 红外波段GaSb基量子阱激光器材料生长与器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 邢军亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guowei, Wang; Wei, Xiang; Yingqiang, Xu; Liang, Zhang; Zhenyu, Peng; Yanqiu, Lü; Junjie, Si; Juan, Wang; Junliang, Xing; Zhengwei, Ren; Zhichuan, Niu
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| 带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川
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| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川
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| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川
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| 一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 郝宏玥; 王国伟; 向伟; 蒋洞微; 邢军亮; 徐应强; 牛智川
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