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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Zhao JH (Zhao Jian-Hua);  Bi JF (Bi Jing-Feng);  Wang WZ (Wang Wei-Zhu);  Ji Y (Ji Yang);  Wu XG (Wu Xiao-Guang);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sheng, Q;  Xing-Wang, Z;  Zhi-Gang, Y;  Jing-Bi, Y;  Nuo-Fu, C;  Sheng, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Keyl Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan XJ(颜学进);  Xu GY(许国阳);  Zhu HL(朱洪亮);  Zhou F(周帆);  Wang XJ(汪孝杰);  Zhang JY(张静媛);  Tian HL(田慧良);  Ma CH(马朝华);  Shu HY(舒惠云);  Bai YX(白云霞);  Bi KK(毕可奎);  Wu RH(吴荣汉);  Wang QM(王启明);  Wang W(王圩)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐遵图;  杨国文;  肖建伟;  徐俊英;  张敬明;  郑婉华;  瞿伟;  陈良惠;  毕可奎
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改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张曙光;  张兴旺;  尹志岗;  董敬敬;  游经碧
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一种半导体激光器引脚式封装结构及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  李璟;  王国宏;  毕瑞祥;  杨华
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