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Ⅲ-Ⅴ族半导体异质结二维电子气输运特性研究 学位论文
, 北京: 清华大学, 2014
作者:  金东东
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异质结  二维电子气  输运  散射  Ⅲ-ⅴ族半导体  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Changbo;  Zhao, Guijuan;  Liu, Guipeng;  Song, Yafeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Li, Zhiwei;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(1002Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：853/222  |  提交时间：2013/09/22
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huijie Li, Xianglin Liu, Ling Sang, Jianxia Wang, Dongdong Jin, Heng Zhang, Shaoyan Yang, Shuman Liu, Wei Mao, Yue Hao, Qinsheng Zhu, Zhanguo Wang
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：469/138  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Changbo;  Yang, Shaoyan;  Shi, Kai;  Liu, Guipeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Gu, Chengyan;  Zhao, Guijuan;  Sang, Ling;  Liu, Xianglin;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：484/99  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HJ (Li, Huijie);  Liu XL (Liu, Xianglin);  Wang JX (Wang, Jianxia);  Jin DD (Jin, Dongdong);  Zhang H (Zhang, Heng);  Yang SY (Yang, Shaoyan);  Liu SM (Liu, Shuman);  Mao W (Mao, Wei);  Hao Y (Hao, Yue);  Zhu QS (Zhu, QinSheng);  Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：863/1  |  提交时间：2016/09/12