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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, D;  Zhang, C;  Lin, YH;  Jiao, L;  Yuan, HM;  Zhao, GP;  Cheng, XN
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, D;  Wang, BA;  Lin, YH;  Jiao, L;  Yuan, HM;  Zhao, GP;  Cheng, XN
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一种量子点材料结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  焦玉恒;  吴巨;  徐波;  金鹏;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, LJ;  Chen, YH;  Ye, XL;  Jiao, YH;  Shi, LW;  Wang, ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, HB;  Sun, GS;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Wei, HY;  Jiao, CM;  Liu, XL;  Chen, YH;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, HB;  Yang, SY;  Zhang, PF;  Wei, HY;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Zhu, QS;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Yang, SY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sh-yyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(3251Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:983/210  |  提交时间:2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi LW;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZC;  Jiao YH;  Wang ZG;  Shi, LW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: Liweishi@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan HB (Fan Hai-Bo);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhang PF (Zhang Pan-Feng);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Jiao CM (Jiao Chun-Mei);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Fan, HB, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hbfan@semi.ac.cn;  sh-yyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu J;  Jiao YH;  Jin P;  Lv XJ;  Wang ZG;  Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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分子束外延生长InAs/InGaAs/GaAs 长波长量子点 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  焦玉恒
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