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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Yun Du
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提交时间:2018/07/09
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期刊论文
作者:
Shao-Shuai Sui
;
Yong-Zhen Huang
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Ming-Ying Tang
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Hai-Zhong Weng
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Jin-Long Xiao
;
Yun Du
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提交时间:2017/03/10
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Ming-Ying Tang
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提交时间:2016/03/22
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SHAO-SHUAI SUI
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YONG-ZHEN HUANG
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Shao-Shuai Sui
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Yong-Zhen Huang
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提交时间:2016/03/22
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Shao-Shuai Sui
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Jin-Long Xiao
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提交时间:2016/03/22
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Shao-Shuai Sui
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Ming-Ying Tang
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提交时间:2016/03/22
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Yun Du
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提交时间:2014/05/08
采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
杨富华
;
王良臣
;
黄应龙
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提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
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提交时间:2009/06/11