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中国科学院半导体研究所机构知识库
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zou, Q
;
Belle, BD
;
Zhang, LZ
;
Xiao, WD
;
Yang, K
;
Liu, LW
;
Wang, GQ
;
Fei, XM
;
Huang, Y
;
Ma, RS
;
Lu, Y
;
Tan, PH
;
Guo, HM
;
Du, SX
;
Gao, HJ
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提交时间:2014/03/26
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui M
;
Zhou TF
;
Wang MR
;
Huang J
;
Huang HJ
;
Zhang JP
;
Xu K
;
Yang H
;
Cui, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China, tfzhou2007@sinano.ac.cn
;
kxu2006@sinano.ac.cn
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浏览/下载:1586/438
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提交时间:2012/02/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang X
;
Pei WH
;
Huang BJ
;
Wang SJ
;
Guan N
;
Guo K
;
Wang Y
;
Gui Q
;
Chen J
;
Wang K
;
Wu HJ
;
Li XX
;
Li K
;
Chen HD
;
Zhang, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. zhangxu@semi.ac.cn
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浏览/下载:1529/559
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu JQ
;
Wang JF
;
Gong XJ
;
Huang J
;
Xu K
;
Zhou TF
;
Zhong HJ
;
Qiu YX
;
Cai DM
;
Ren GQ
;
Yang H
;
Xu, K, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Suzhou 215123, Peoples R China. kxu2006@sinano.ac.cn
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浏览/下载:1654/361
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang W (Wang Wei)
;
Huang BJ (Huang Bei-Ju)
;
Dong Z (Dong Zan)
;
Liu HJ (Liu Hai-Jun)
;
Zhang X (Zhang Xu)
;
Guan N (Guan Ning)
;
Chen J (Chen Jin)
;
Guo WL (Guo Wei-Lian)
;
Niu PJ (Niu Ping-Juan)
;
Chen HD (Chen Hong-Da)
;
Wang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangweiww33@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈少武
;
余金中
;
徐学俊
;
黄庆忠
;
余和军
;
屠晓光
;
李运涛
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提交时间:2010/11/23
双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
黄北举
;
刘海军
;
顾明
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浏览/下载:1358/151
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提交时间:2009/06/11
三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
黄北举
;
刘金彬
;
顾明
;
刘海军
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浏览/下载:1426/220
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提交时间:2009/06/11
CMOS硅发光二极管驱动电路
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
刘海军
;
黄北举
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提交时间:2009/06/11
采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈弘达
;
刘海军
;
黄北举
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提交时间:2009/06/11