SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共17条,第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  WEIYANG LIU,JINGJING CHEN,HAIYONG WANG,NANJIAN WU
Adobe PDF(331Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:486/226  |  提交时间:2014/03/26
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jingjing Chen;  Weiyang Liu;  Peng Feng;  Haiyong Wang;  Nanjian Wu
Adobe PDF(836Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:621/123  |  提交时间:2014/05/16
一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
Adobe PDF(443Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1518/265  |  提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1849/269  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Geng Zhiqing;  Wang Haiyong;  Wu Nanjian
Adobe PDF(1141Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/304  |  提交时间:2010/11/23
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1713/270  |  提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张扬;  闫发旺;  高海永;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  李晋闽
Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:3068/218  |  提交时间:2009/06/11
具有温度补偿效应的环路压控振荡器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邝小飞;  吴南健;  王海永
Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1330/158  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan FW (Yan Fawang);  Gao HY (Gao Haiyong);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Wang GH (Wang Guohong);  Yang FH (Yang Fuhua);  Yan JC (Yan Jianchang);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li, Jinmin);  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1374/493  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY (Gao Haiyong);  Yan FW (Yan Fawang);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Li JM (Li Jinmin);  Wang JX (Wang Junxi);  Yan JC (Yan Jianchang);  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
Adobe PDF(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1292/473  |  提交时间:2010/03/29