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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
S. Luo
;
H.M. Ji
;
F. Gao
;
F. Xu
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
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提交时间:2016/03/22
无权访问的条目
期刊论文
作者:
F. Gao
;
S. Luo
;
H.M. Ji
;
X.G. Yang
;
P. Liang
;
T. Yang
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提交时间:2016/03/22
高性能1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
季海铭
Adobe PDF(11409Kb)
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浏览/下载:1759/185
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提交时间:2010/07/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王勇刚
;
彭继迎
;
檀慧明
;
钱龙生
;
柴路
;
张志刚
;
王清月
;
林涛
;
马骁宇
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浏览/下载:881/269
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提交时间:2010/11/23
生长InP基InAs量子阱的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
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浏览/下载:1043/102
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提交时间:2014/10/24
制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人:
罗帅
;
季海铭
;
杨涛
Adobe PDF(361Kb)
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浏览/下载:851/79
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提交时间:2014/10/28
锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:
季海铭
;
罗帅
;
杨涛
Adobe PDF(292Kb)
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收藏
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浏览/下载:858/112
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提交时间:2014/12/25
制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
杨涛
;
高凤
;
罗帅
;
季海铭
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浏览/下载:731/30
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提交时间:2016/09/28
大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
罗帅
;
季海铭
;
杨涛
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浏览/下载:647/6
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提交时间:2016/09/28