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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [1]
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期刊论文
作者:
Tian, T
;
Wang, LC
;
Guo, EQ
;
Liu, ZQ
;
Zhan, T
;
Guo, JX
;
Yi, XY
;
Li, J
;
Wang, GH
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浏览/下载:681/122
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LC (Wang, Liancheng)
;
Zhang YY (Zhang, Yiyun)
;
Li X (Li, Xiao)
;
Liu ZQ (Liu, Zhiqiang)
;
Guo EQ (Guo, Enqing)
;
Yi XY (Yi, Xiaoyan)
;
Wang JX (Wang, Junxi)
;
Zhu HW (Zhu, Hongwei)
;
Wang GH (Wang, Guohong)
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提交时间:2013/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LC (Wang, Liancheng)
;
Zhang YY (Zhang, Yiyun)
;
Li X (Li, Xiao)
;
Liu ZQ (Liu, Zhiqiang)
;
Guo EQ (Guo, Enqing)
;
Yi XY (Yi, Xiaoyan)
;
Wang JX (Wang, Junxi)
;
Zhu HW (Zhu, Hongwei)
;
Wang GH (Wang, Guohong)
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浏览/下载:990/168
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提交时间:2013/04/02
高效氮化镓基垂直结构LED的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
郭恩卿
Adobe PDF(2189Kb)
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提交时间:2011/06/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
朱天伟
;
徐波
;
何军
;
赵凤瑷
;
张春玲
;
谢二庆
;
刘峰奇
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
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浏览/下载:1557/234
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
詹腾
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1513/211
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提交时间:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
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提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭恩卿
;
刘志强
;
汪炼成
;
伊晓燕
;
王莉
;
王国宏
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浏览/下载:1827/234
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提交时间:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1739/262
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提交时间:2011/08/31