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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [7]
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期刊论文
作者:
Zhao, Gui-Juan
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Yang, Shao-Yan
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Liu, Gui-Peng
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Liu, Chang-Bo
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Sang, Ling
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Gu, Cheng-Yan
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Liu, Xiang-Lin
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Wei, Hong-Yuan
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Zhu, Qin-Sheng
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Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2014/03/26
Ⅲ族氮化物材料 MOCVD 反应室的优化设计
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
谷承艳
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提交时间:2013/06/20
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期刊论文
作者:
Sang, Ling
;
Yang, Shao Yan
;
Liu, Gui Peng
;
Zhao, Gui Juan
;
Liu, Chang Bo
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Gu, Cheng Yan
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Wei, Hong Yuan
;
Liu, Xiang Lin
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Zhu, Qin Sheng
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Wang, Zhan Guo
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提交时间:2013/08/27
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期刊论文
作者:
Ling Sang, Shao Yan Yang, Gui Peng Liu, Gui Juan Zhao, Chang Bo Liu, Cheng Yan Gu, Hong Yuan Wei,
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gu, Cheng-Yan
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Liu, Gui-Peng
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Shi, Kai
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Song, Ya-Feng
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Li, Cheng-Ming
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Liu, Xiang-Lin
;
Yang, Shao-Yan
;
Zhu, Qin-Sheng
;
Wang, Zhan-Guo
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提交时间:2013/04/19
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期刊论文
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Gu CY (Gu Cheng-Yan)
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Li CM (Li Cheng-Ming)
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Liu XL (Liu Xiang-Lin)
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Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
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Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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提交时间:2013/03/26
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
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谷承艳
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魏鸿源
;
刘祥林
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朱勤生
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杨少延
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王占国
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提交时间:2014/10/29