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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Zhou W;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Jiang WH;  Liu FQ;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Gong Q;  Ding D;  Liu FQ;  Chen YH;  Jiang WH;  Ye XL;  Li YF;  Sun ZZ;  Zhang JF;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun ZZ;  Ding D;  Gong Q;  Zhou W;  Xu B;  Wang ZG;  Sun ZZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ;  Wang ZG;  Wu J;  Xu B;  Gong Q;  Liang JB;  Liu FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Zhou W;  Xu B;  Jiang WH;  Gong Q;  Ding D;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hzxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Gong Q;  Xu B;  Jiang WH;  Wang JZ;  Zhou W;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Room-temperature continuous-wave lasing from InAs GaAs quantum dot laser grown by molecular beam epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Wang ZG;  Gong Q Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Threshold  Operation  Layer  
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Zhang W;  Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Coherent Islands  Gaas  Growth  Dots  Dislocations  Temperature  Mechanisms  Si(001)  Ingaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Liang JB;  Xu B;  Ding D;  Li HX;  Jiang C;  Zhou W;  Liu FQ;  Wang ZG;  Qiu XH;  Shang GY;  Bai CL;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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