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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Gao, Yuan-Fei
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Lai, Jia-Min
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Zhang, Jun
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提交时间:2022/03/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen, Zhaolong
;
Xie, Chunyu
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Wang, Wendong
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Zhao, Jinpei
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Liu, Bingyao
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Shan, Jingyuan
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Sun, Jingyu
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Liu, Zhongfan
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提交时间:2022/03/24
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qingqing Ji, Yanfeng Zhang, Teng Gao, Yu Zhang, Donglin Ma, Mengxi Liu, Yubin Chen, Xiaofen Qiao, Ping-Heng Tan, Min Kan, Ji Feng, Qiang Sun, Zhongfan Liu,
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提交时间:2014/03/26
一种氮化物薄膜外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张 扬
;
张会肖
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
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提交时间:2010/03/19
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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提交时间:2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高永海
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘磊
;
陈诺夫
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汪宇
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白一鸣
;
崔敏
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高福宝
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提交时间:2010/11/23
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张扬
;
闫发旺
;
高海永
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高欣
;
孙国胜
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李晋闽
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王雷
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赵万顺
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提交时间:2009/06/11