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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
 Adobe PDF(275Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1518/232 | 提交时间：2010/03/19 |
| 单光路量子效率测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝
Adobe PDF(668Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1529/211 | 提交时间：2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘磊; 陈诺夫; 汪宇 ; 白一鸣; 崔敏; 高福宝
Adobe PDF(862Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1356/464 | 提交时间：2010/11/23 |
| 红外探测材料InAsSb/GaSb的LPE生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者: 高福宝
Adobe PDF(1788Kb) | 收藏 | 浏览/下载：990/24 | 提交时间：2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Lei; Chen Nuofu; Yang Xiaoli; Wang Yu; Gao Fubao
Adobe PDF(1067Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1014/198 | 提交时间：2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gao FB (Gao Fubao); Chen NF (Chen NuoFu); Liu L (Liu Lei); Zhang XW (Zhang X. W.); Wu JL (Wu Jinliang); Yin ZG (Yin Zhigang); Gao, FB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fbgao@semi.ac.cn
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