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中国科学院半导体研究所机构知识库
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Improved neutron radiation hardness for Si detectors: Application of low resistivity starting material and or manipulation of N-eff by selective filling of radiation-induced traps at low temperatures
会议论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 46 (3), TORONTO, CANADA, NOV 08-14, 1998
作者:
Dezillie B
;
Li Z
;
Eremin V
;
Bruzzi M
;
Pirollo S
;
Pandey SU
;
Li CJ
;
Dezillie B Brookhaven Natl Lab Upton NY 11973 USA.
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提交时间:2010/11/15
Silicon Detectors
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作者:
Dezillie B
;
Li Z
;
Eremin V
;
Bruzzi M
;
Pirollo S
;
Pandey SU
;
Li CJ
;
Dezillie B,Brookhaven Natl Lab,Upton,NY 11973 USA.
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提交时间:2010/08/12