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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai AQ (Bai Anqi);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Wang XF (Wang Xiaofeng);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films 会议论文
MATERIALS RESEARCH, Chongqing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-12, 2008
作者:  Zhao L;  Lu ZX;  Cheng CJ;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Sun BJ;  Qu B;  Zhang XF;  Sun WG;  Zhao, L, Luoyang Optoelect Inst, Luoyang, Peoples R China.
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Alxga1-xn  
提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan QW;  Fang CS;  Qin ZH;  Gu QT;  Cheng XF;  Xu D;  Yu JZ;  Fang CS,Shandong Univ,State Key Lab Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  秦志辉;  房昌水;  潘奇伟;  程秀凤;  顾庆天;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  秦志辉;  房昌水;  潘奇伟;  程秀凤;  李峰;  顾庆天;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XF;  Xu RG;  Wang XH;  Pan HG;  Miyazaki T;  Baggio-Saitovitch E;  Yang FM;  Cheng CP;  Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  余金中;  于卓;  王启明;  陈坤基;  黄信凡
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一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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