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中国科学院半导体研究所机构知识库
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高能量储存密度介电材料的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
汪晨琛
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提交时间:2018/05/29
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期刊论文
作者:
Chen GF
;
Tan XD
;
Wan WT
;
Shen J
;
Hao QY
;
Tang CC
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Zhu, JJ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China, admat@hebut.edu.cn
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提交时间:2012/02/06
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期刊论文
作者:
陈贵锋
;
谭小动
;
万尾甜
;
沈俊
;
郝秋艳
;
唐成春
;
朱建军
;
刘宗顺
;
赵德刚
;
张书明
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提交时间:2012/07/17
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期刊论文
作者:
Yang J
;
You JB
;
Chen CC
;
Hsu WC
;
Tan HR
;
Zhang XW
;
Hong ZR
;
Yang Y
;
Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
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提交时间:2011/09/14
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期刊论文
作者:
Zhang B
;
Chen CC
;
Yang C
;
Wang JZ
;
Shi LQ
;
Cheng HS
;
Zhao DG
;
Zhang, B, Fudan Univ, Inst Modern Phys, Appl Ion Beam Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail Address: binzhang@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/04/22
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期刊论文
作者:
Zhang CG
;
Bian LF
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surf Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangcg@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Bian LF
;
Zhang CG
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Ma LB
;
Song R
;
Cao ZX
;
Bian, LF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: guobian@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Song SF
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Xu XR
;
Song, SF, Beijing Univ, Minist Educ, Key Lab Luminescence & Opt Informat, Inst Optoelect Technol, Beijing 100044, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@center.njtu.edu.cn
;
xrxu@center.njtu.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Zhang CG
;
Blan LF
;
Chen WD
;
Hsu CC
;
Zhang, CG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhangcg@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang B
;
Shi LQ
;
Chen CC
;
Zhao DG
;
Zhang, B, Fudan Univ, Inst Modern Phys, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: binzhang@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/03/29