SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Junda Yan;  Quan Wang;  Xiaoliang Wang;  Chun Feng;  Hongling Xiao;  Shiming Liu;  Jiamin Gong;  Fengqi Liu;  Baiquan Li
Adobe PDF(1447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:271/3  |  提交时间:2017/03/10
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Li;  Quan Wang;  Xiangmi Zhan;  Junda Yan;  Lijuan Jiang;  Haibo Yin;  Jiamin Gong;  Xiaoliang Wang;  Fengqi Liu;  Baiquan Li;  Zhanguo Wang
Adobe PDF(1907Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:310/9  |  提交时间:2017/03/10
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He Kang;  Quan Wang;  Hongling Xiao;  Cuimei Wang;  Lijuan Jiang;  Chun Feng;  Hong Chen;  Haibo Yin;  Shenqi Qu;  Enchao Peng;  Jiamin Gong;  Xiaoliang Wang;  Baiquan Li;  Zhanguo Wang;  Xun Hou
Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:270/5  |  提交时间:2016/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei Cui;  Quan Wang;  XiaoLiang Wang;  HongLing Xiao;  CuiMei Wang;  LiJuan Jiang;  Chun Feng;  HaiBo Yin;  JiaMin Gong;  BaiQuan Li;  ZhanGuo Wang
Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:275/4  |  提交时间:2016/03/29
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:604/0  |  提交时间:2016/09/28
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:609/2  |  提交时间:2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:722/3  |  提交时间:2016/09/28
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  王晓亮;  李巍;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  王翠梅;  李百泉
Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:714/3  |  提交时间:2016/09/29
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:695/1  |  提交时间:2016/09/12