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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Junda Yan
;
Quan Wang
;
Xiaoliang Wang
;
Chun Feng
;
Hongling Xiao
;
Shiming Liu
;
Jiamin Gong
;
Fengqi Liu
;
Baiquan Li
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浏览/下载:271/3
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei Li
;
Quan Wang
;
Xiangmi Zhan
;
Junda Yan
;
Lijuan Jiang
;
Haibo Yin
;
Jiamin Gong
;
Xiaoliang Wang
;
Fengqi Liu
;
Baiquan Li
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:310/9
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提交时间:2017/03/10
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He Kang
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Cuimei Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hong Chen
;
Haibo Yin
;
Shenqi Qu
;
Enchao Peng
;
Jiamin Gong
;
Xiaoliang Wang
;
Baiquan Li
;
Zhanguo Wang
;
Xun Hou
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提交时间:2016/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lei Cui
;
Quan Wang
;
XiaoLiang Wang
;
HongLing Xiao
;
CuiMei Wang
;
LiJuan Jiang
;
Chun Feng
;
HaiBo Yin
;
JiaMin Gong
;
BaiQuan Li
;
ZhanGuo Wang
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提交时间:2016/03/29
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
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提交时间:2016/09/28
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
殷海波
;
王翠梅
;
李百泉
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浏览/下载:609/2
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提交时间:2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
李百泉
;
肖红领
;
殷海波
;
冯春
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
王翠梅
;
介芳
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浏览/下载:722/3
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提交时间:2016/09/28
一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:
王晓亮
;
李巍
;
肖红领
;
冯春
;
姜丽娟
;
殷海波
;
王翠梅
;
李百泉
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浏览/下载:714/3
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提交时间:2016/09/29
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
王晓亮
;
闫俊达
;
李百泉
;
王权
;
肖红领
;
冯春
;
殷海波
;
姜丽娟
;
邱爱芹
;
介芳
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提交时间:2016/09/12