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中国科学院半导体研究所机构知识库
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提交时间:2021/11/26
高压大功率碳化硅IGBT器件研究
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
温正欣
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提交时间:2019/11/12
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提交时间:2020/07/31
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提交时间:2020/08/04
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提交时间:2019/11/15
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提交时间:2010/11/23
磷化铟单晶片的抛光工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
董宏伟
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赵有文
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焦景华
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提交时间:2009/06/11
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提交时间:2010/11/23