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| 光栅型垂直腔面发射激光器及二维阵列优化排布的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 戚宇轩
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| 光栅型垂直腔面发射激光器及二维阵列优化排布的研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 戚宇轩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei Li; Yu-Xuan Qi; Su-Ping Liu; Xiao-Yu Ma
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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