×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体照明研... [14]
半导体超晶格国家重点... [1]
作者
李志聪 [3]
王兵 [1]
梁萌 [1]
文献类型
专利 [9]
期刊论文 [6]
发表日期
2021 [1]
2018 [1]
2014 [1]
2012 [1]
2011 [2]
语种
中文 [4]
英语 [2]
出处
IEEE Inter... [1]
JOURNAL OF... [1]
Journal of... [1]
Journal of... [1]
SOLID STAT... [1]
物理学报 [1]
更多...
资助项目
收录类别
SCI [3]
EI [2]
CSCD [1]
资助机构
国家高技术研究发展计... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei Guo-Shuai
;
Hao Rui-Ting
;
Guo Jie
;
Ma Xiao-Le
;
Li Xiao-Ming
;
Li Yong
;
Chang Fa-Ran
;
Zhuang Yu
;
Wang Guo-Wei
;
Xu Ying-Qiang
;
Niu Zhi-Chuan
;
Wang Yao
Adobe PDF(2692Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:3/1
  |  
提交时间:2022/05/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xing Wei
;
Ran Yao
;
Ziqiang Jiang
;
Tingting Guo
;
Fengni He
;
Wei Wang
;
Zifeng Xie
;
Li Duan
Adobe PDF(1629Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:149/0
  |  
提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Duan, Li
;
Wang, Pei
;
Wei, Feng
;
Zhang, Wenxue
;
Yao, Ran
;
Xia, Huiyun
Adobe PDF(643Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:744/155
  |  
提交时间:2015/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liang, Meng
;
Wang, Guohong
;
Li, Hongjian
;
Li, Zhicong
;
Yao, Ran
;
Wang, Bing
;
Li, Panpan
;
Li, Jing
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Junxi
;
Li, Jinmin
Adobe PDF(749Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:737/144
  |  
提交时间:2013/05/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王兵
;
李志聪
;
姚然
;
梁萌
;
闫发旺
;
王国宏
Adobe PDF(761Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1410/194
  |  
提交时间:2011/08/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li, Zhicong
;
Li, Panpan
;
Wang, Bing
;
Li, Hongjian
;
Liang, Meng
;
Yao, Ran
;
Li, Jing
;
Deng, Yuanming
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
;
Li, Jinmin
;
Li, Z.(lizc@semi.ac.cn)
Adobe PDF(170Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1051/337
  |  
提交时间:2012/06/14
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(992Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:2113/302
  |  
提交时间:2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王兵
;
李志聪
;
王国宏
;
闫发旺
;
姚然
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(260Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1633/259
  |  
提交时间:2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李鸿渐
;
李盼盼
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1768/306
  |  
提交时间:2012/09/09
芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:
谢海忠
;
张连
;
宋昌斌
;
姚然
;
薛斌
;
杨华
;
李璟
;
伊晓燕
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(338Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1001/104
  |  
提交时间:2014/11/05