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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张富强;  陈诺夫;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈诺夫;  修慧欣;  杨君玲;  吴金良;  钟兴儒;  林兰英
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液相外延水平生长晶体薄膜用的容器 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  徐自亮;  田金法;  吴金良;  陈诺夫
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非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2000-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  林兰英;  王玉田;  何宏家;  钟兴儒
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下开平动式直拉单晶炉 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2000-03-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  钟兴儒;  田金法;  吴金良;  林兰英;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴金良;  钟兴儒;  陈诺夫;  田金法;  林兰英
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