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2~4μm 红外波段GaSb基量子阱激光器材料生长与器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  邢军亮
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带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人:  邢军亮;  张宇;  徐应强;  王国伟;  王娟;  向伟;  任正伟;  牛智川
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一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29
发明人:  张宇;  邢军亮;  徐应强;  任正伟;  牛智川
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  邢军亮;  张宇;  王国伟;  王娟;  王丽娟;  任正伟;  徐应强;  牛智川
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InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  蒋洞微;  向伟;  王娟;  邢军亮;  王国伟;  徐应强;  任正伟;  贺振宏;  牛智川
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一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  郝宏玥;  王国伟;  向伟;  蒋洞微;  邢军亮;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(721Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：778/9  |  提交时间：2016/09/12