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晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵洪泉;  于丽娟;  黄永箴
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  李敬;  黄永箴
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Si 与InP 键合研究及Si 基InGaAsP 激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  赵洪泉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  黄永箴
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硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  于丽娟;  杜云;  赵烘泉;  黄永箴
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