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| 晶片直接键合过程中实验参数的优化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵洪泉; 于丽娟 ; 黄永箴
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| 一种低温晶片直接键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵洪泉; 于丽娟; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 李敬; 黄永箴
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| Si 与InP 键合研究及Si 基InGaAsP 激光器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 赵洪泉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 于丽娟; 赵洪泉; 杜云; 黄永箴
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| 硅基化合物半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091403.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 于丽娟; 杜云; 赵烘泉; 黄永箴
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