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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Meng Yulin
;
Wang Lianshan
;
Zhao Guijuan
;
Li Fangzheng
;
Li Huijie
;
Yang Shaoyan
;
Wang Zhanguo
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浏览/下载:106/0
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提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li Fangzheng
;
Wang Lianshan
;
Zhao Guijuan
;
Meng Yulin
;
Li Huijie
;
Chen Yanan
;
Yang Shaoyan
;
Jin Peng
;
Wang Zhanguo
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浏览/下载:129/0
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提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang Lianshan
;
Zhao Guijuan
;
Meng Yulin
;
Li Huijie
;
Yang Shaoyan
;
Wang Zhanguo
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浏览/下载:118/0
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提交时间:2019/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Changbo
;
Zhao, Guijuan
;
Liu, Guipeng
;
Song, Yafeng
;
Zhang, Heng
;
Jin, Dongdong
;
Li, Zhiwei
;
Liu, Xianglin
;
Yang, Shaoyan
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:853/222
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提交时间:2013/09/22
非极性 InGaN 薄膜的生长及相关物性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
赵桂娟
Adobe PDF(9558Kb)
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浏览/下载:1263/52
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Changbo
;
Yang, Shaoyan
;
Shi, Kai
;
Liu, Guipeng
;
Zhang, Heng
;
Jin, Dongdong
;
Gu, Chengyan
;
Zhao, Guijuan
;
Sang, Ling
;
Liu, Xianglin
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:484/99
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提交时间:2014/03/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Guipeng
;
Wu, Ju
;
Zhao, Guijuan
;
Liu, Shuman
;
Mao, Wei
;
Hao, Yue
;
Liu, Changbo
;
Yang, Shaoyan
;
Liu, Xianglin
;
Zhu, Qinsheng
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:721/196
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提交时间:2013/05/07
制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
张恒
;
魏鸿源
;
杨少延
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:1072/103
  |  
提交时间:2014/12/25
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:
杨少延
;
冯玉霞
;
魏鸿源
;
焦春美
;
赵桂娟
;
汪连山
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:844/90
  |  
提交时间:2014/11/05
利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:
杨少延
;
张恒
;
魏鸿源
;
焦春美
;
赵桂娟
;
汪连山
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:851/79
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提交时间:2014/11/05