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| GaN基大功率LED的外延生长 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者: 纪攀峰 Adobe PDF(3620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1352/114  |  提交时间:2011/06/09 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ji, Panfeng; Liu, Naixin; Wei, Tongbo; Liu, Zhe; Lu, Hongxi; Wang, Junxi; Li, Jinmin; Ji, P.(jipanfeng@semi.ac.cn) Adobe PDF(673Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1492/521  |  提交时间:2012/06/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ji, Panfeng; Liu, Naixin; Wei, Xuecheng; Liu, Zhe; Lu, Hongxi; Wang, Junxi; Li, Jinmin; Ji, P.(jipanfeng@semi.ac.cn) Adobe PDF(1784Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:893/169  |  提交时间:2012/06/14 |
| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(315Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2055/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1700/153  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 李京波; 纪攀峰; 朱峰 Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1533/210  |  提交时间:2011/08/30 |
| 一种LED外延片的切裂方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:776/3  |  提交时间:2016/08/30 |
| MOCVD设备的石墨托盘 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 纪攀峰; 孔庆峰; 王文军; 胡强; 马平; 曾一平; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1051/2  |  提交时间:2016/08/30 |
| 截面为多边形的晶棒及衬底片表面取向的标识方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 王文军; 李晋闽; 王军喜; 马平; 纪攀峰; 郭金霞; 孔庆峰; 胡强 Adobe PDF(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/100  |  提交时间:2014/11/05 |
| 氮化镓系发光二极管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 马平; 刘波亭; 甄爱功; 郭仕宽; 纪攀峰; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:943/97  |  提交时间:2014/11/05 |