×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中科院半导体材料科学... [4]
作者
文献类型
专利 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2015 [1]
语种
中文 [1]
出处
资助项目
收录类别
资助机构
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
只显示已认领条目
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
学位论文
作者:
王小耶
Adobe PDF(7460Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:470/24
  |  
提交时间:2015/05/27
硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
杨涛
;
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
季祥海
;
王占国
Adobe PDF(878Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:779/4
  |  
提交时间:2016/09/12
直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:
杜文娜
;
杨晓光
;
王小耶
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(867Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:952/203
  |  
提交时间:2014/11/24
硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
发明人:
杨涛
;
王小耶
Adobe PDF(1444Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:848/54
  |  
提交时间:2014/11/24