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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| ZnO厚膜的金属源气相外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 段垚
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| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 崔军朋; 段垚; 王晓峰 ; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 何金孝; 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: SHEN Wenjuan; Wang Jun; Wang Qiyuan; Duan Yao; Zeng Yiping
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shen Wenjuan; Wang Jun; Duan Yao; Wang Qiyuan; Zeng Yiping
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| 采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102181921A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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