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Si 基及图形衬底GaN 异质外延研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei Tongbo;  Ma Ping;  Duan Ruifei;  Wang Junxi;  Li Jinmin;  Liu Zhe;  Lin Guoqiang;  Zeng Yiping
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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