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中国科学院半导体研究所机构知识库
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硅的反常空穴迁移率起源及高空穴迁移率的设计原理
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:
杨巧林
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提交时间：2021/06/16
