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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
韩培德 [7]
黎大兵 [4]
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发表日期
2003 [5]
2002 [3]
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出处
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一种单/多层异质量子点结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈振
;
陆大成
;
韩培德
;
刘祥林
;
王晓晖
;
李昱峰
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
李昱峰
;
韩培德
;
陈振
;
黎大兵
;
王占国
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓军
;
汪度
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
严莉
;
陈晓阳
;
何世堂
;
李红浪
;
韩培德
;
陈振
;
陆大成
;
刘祥林
;
王晓晖
;
李昱峰
;
袁海荣
;
陆沅
;
黎大兵
;
朱勤生
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
李昱峰
;
韩培德
;
陈振
;
黎大兵
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
王晓晖
;
李昱峰
;
陆大成
;
刘祥林
;
袁海荣
;
陆沅
;
黎大兵
;
王秀凤
;
朱勤生
;
王占国
;
陈振
;
韩培德
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提交时间:2010/11/23
InGaN量子点的 MOCVD生长及特性研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:
李昱峰
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
韩培德
;
刘祥林
;
袁海荣
;
陈振
;
李昱峰
;
陆沅
;
汪度
;
陆大成
;
王占国
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
李昱峰
;
陈振
;
韩培德
;
王占国
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浏览/下载:914/267
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提交时间:2010/11/23