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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Changbo;  Zhao, Guijuan;  Liu, Guipeng;  Song, Yafeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Li, Zhiwei;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
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基于InGaN插入层的非极性a-plane GaN薄膜的生长及相关物理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  李志伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei W (Wei, Wei);  Qin ZX (Qin, Zhixin);  Fan SF (Fan, Shunfei);  Li ZW (Li, Zhiwei);  Shi K (Shi, Kai);  Zhu QS (Zhu, Qinsheng);  Zhang GY (Zhang, Guoyi)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Zhiwei;  Zhang, Biao;  Wang, Jun;  Liu, Jianming;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo;  Li, Z.(lizhiwei@semi.ac.cn)
Adobe PDF(237Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1220/361  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song YF (Song Yafeng);  Lu YW (Lu Yanwu);  Zhang BA (Zhang Biao);  Xu XQ (Xu Xiaoqing);  Wang J (Wang Jun);  Guo Y (Guo Yan);  Shi K (Shi Kai);  Li ZW (Li Zhiwei);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Song, YF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songyafeng@semi.ac.cn
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
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一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  刘贵鹏;  刘长波;  谷承艳;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1045/85  |  提交时间：2014/10/29
制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  赵桂娟;  李志伟;  桑玲;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：925/97  |  提交时间：2014/10/31