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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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表面等离激元增强 ZnO 基 LEDs 电致发光研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
张曙光
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浏览/下载:1340/79
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提交时间:2013/06/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ying J
;
Zhang XW
;
Yin ZG
;
Tan HR
;
Zhang SG
;
Fan YM
;
Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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浏览/下载:1476/371
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tan, Hairen
;
You, Jingbi
;
Zhang, Shuguang
;
Gao, Hongli
;
Yin, Zhigang
;
Bai, Yiming
;
Zhang, Xiulan
;
Zhang, Xingwang
;
Qu, Sheng
;
Tan, H.(hrtan@semi.ac.cn)
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浏览/下载:823/182
  |  
提交时间:2012/06/14
无权访问的条目
期刊论文
作者:
You JB
;
Zhang XW
;
Zhang SG
;
Tan HR
;
Ying J
;
Yin ZG
;
Zhu QS
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
;
paul.chu@cityu.edu.hk
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浏览/下载:1621/560
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提交时间:2010/05/24
增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
尹志岗
;
张曙光
;
张兴旺
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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浏览/下载:1367/201
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提交时间:2012/09/09
增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
董敬敬
;
高红丽
;
施辉东
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浏览/下载:1302/183
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提交时间:2012/09/09
图案化纳米模板及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
董敬敬
;
张兴旺
;
尹志岗
;
谭海仁
;
高云
;
张曙光
;
白一鸣
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浏览/下载:1619/208
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提交时间:2011/08/31
制作ZnO基异质结发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183370.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
张曙光
;
尹志岗
;
张兴旺
;
游经碧
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浏览/下载:1425/233
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提交时间:2011/08/31
改善n-ZnO/AlN/p-GaN异质结发光二极管电致发光性能的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张曙光
;
张兴旺
;
尹志岗
;
董敬敬
;
游经碧
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浏览/下载:1745/244
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提交时间:2012/09/09
一种提高聚合物太阳能电池效率的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-02
发明人:
高红丽
;
张兴旺
;
张曙光
;
尹志岗
;
吴金良
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提交时间:2014/11/17